拟从事研究内容或研究计划 ：

1. 基于第一性原理计算IGZO等材料的能带结构、态密度、载流子有效质量等物理特性，并分析相关材料的电学输运特性。

2. 应用TCAD实现基于IGZO沟道材料的DRAM器件的结构设计与电学特性仿真，为DRAM器件工艺开发提供理论支撑。

任职要求：

1. 具有博士学位，品学兼优，身体健康，年龄在35周岁以下，获得博士学位的年限一般不超过3年。

2.具有电子科学与技术、物理、计算材料等相关专业背景，熟悉固体物理，半导体器件物理知识；熟练使用第一性原理计算软件，如 VASP、CASTEP、QuantumATK、CP2K等其中的任一种；熟练使用TCAD软件进行晶体管器件的结构建模与仿真，如果博士期间从事DRAM器件的设计与开发将是极大的加分；了解非平衡格林函数（NEGF）方法计算器件级别的电流输运特性；了解分子动力学方法实现非晶态结构的预测；具备独立科研能力，能够熟练使用英语进行学术交流与论文写作。保证录用后全时从事博士后研究，不挂职、兼职。

申请程序：

1、申请人提交申请意向

2、合作导师向院系推荐

3、院系集中面试

4、校博后办审核

5、国家审批

6、学校通知录用

7、申请人办理进校手续

联系人及联系方式：

联系人：张老师

联系邮箱：zgzhang@tsinghua.edu.cn